MACOM C3M0040120K
$ 7.893
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Distributore
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Pkg
Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -47.42%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per MACOM C3M0040120K.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2020-10-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Descrizioni
Descrizioni di MACOM C3M0040120K fornite dai suoi distributori.
Transistor N-MOSFET SiC; unipolar; 1200V; 40mOhm; 66A; 326W; -40+175 deg.C; THT; TO-247-4
1200V 40MOHM SIC MOSFET / N-Channel 1200 V 66A (Tc) 326W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Wolfspeed N-Channel MOSFET, Vds=1200V, 66A, TO-247, TH, 4-Pin
1200 V, 40 mΩ, TO-247-4 package, Industrial qualified, Discrete SiC MOSFET
Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Power Field-Effect Transistor, 66A I(D), 1200V, 0.0535ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Alias del produttore
MACOM ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. MACOM può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- MACOM Technology Solutions
- M/A COMM
- TYCO M/A-COM
- MACOM Technology Solutions Inc
- PICO MACOM
- M/A COM INC
- MNDSPEED
- M/A-COMO
- M/A-COM TECH SOLUTIONS
- Metelics (MACOM Technology Solutions)
- MACOM TECHNOLOGY
- TE/MACOM
- Omni Spectra / M/A-Com
- M/A-COM LTD
- M/A-COM Technology Soluti
- M/A-Com (Tyco - M/A-Com)
- MINDSPEED
- MACOM / SPECTRA
- MACOM/MINDSPEED
- M/A COM INTEGRATED
- MACOM (Metelics)
- MindspeedTechnologies
- MACOM Datasheet
- COBHAM PLC
- MICROMETRICS INC
- MA-COM
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -47.42%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)66 A
Drain to Source Breakdown Voltage1.2 kV
Drain to Source Resistance53.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)1.2 kV
Gate to Source Voltage (Vgs)19 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation326 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation326 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height27.97 mm
Schede tecniche e documenti
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