Vishay TCST2202
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Production
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Descrizioni
Descrizioni di Vishay TCST2202 fornite dai suoi distributori.
TCST2202 THROUGH HOLE SLOTTED OPTICAL SWITCH, PHOTOTRANSISTOR OUTPUT
Photointerrupter Transmissive 3.1mm Phototransistor 4-Pin Tube
SENSOR TRANS. 2FLAGS, 0,5MM APERTURE-e4
TRANSMISSIVE OPTICAL SENSOR WITH PHOTOTRANSISTOR OUTPUT Transistor Output Slotted Switch, 1-Channel, 3.1mm Slot Width
Vishay , 1, , 24.5 x 6.3 x 10.8mm
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRAN PCB MT
SENSR OPTO SLOT 3.1MM TRANS THRU
Optical Sensor (Switch) Transmissive / Slotted Interrupter; No. of Channels:2; Optocoupler Output Type:Transistor; Input Current Max:20mA; Output Voltage Max:70V; Package/Case:Thru Hole; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +6.81%
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOP
Contact PlatingSilver
MountThrough Hole
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage70 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)70 V
Current Transfer Ratio10 %
Dark Current100 nA
Fall Time8 µs
Forward Current60 mA
Forward Voltage1.25 V
Input Current60 mA
Isolation Voltage3750 Vrms
Max Breakdown Voltage70 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature85 °C
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output Voltage70 V
Power Dissipation250 mW
Response Time8 µs
Reverse Breakdown Voltage6 V
Reverse Voltage (DC)6 V
Rise Time10 µs
Sensing Distance3.0988 mm
Voltage Rating (DC)1.25 V
Wavelength950 nm
Dimensions
Height10.8 mm
Length24.5 mm
Width6.3 mm
Conformità
Classificazione ambientale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità