Vishay SQJ457EP-T1_GE3
$ 0.475
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -53.82%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SQJ457EP-T1_GE3.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-07-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SQJ457EP-T1_GE3 fornite dai suoi distributori.
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 36 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
MOSFET, P-CH, 60V, 36A, POWERPAK SO; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:36A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -53.82%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)36 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation68 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation68 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.267 mm
Schede tecniche e documenti
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