Vishay SQJ422EP-T1_GE3
$ 0.836
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | SQJ422EP-T1_GE3 | 3000 | 3K | 1d | ||||||||
| Newark | SQJ422EP-T1_GE3 | 3016 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | SQJ422EP-T1_GE3CT-ND | 2169 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SQJ422EP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 17h | |||||||
| Future Electronics | SQJ422EP-T1_GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +96.45%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SQJ422EP-T1_GE3.
Modelli CAD
Scarica il simbolo Vishay SQJ422EP-T1_GE3, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-02-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
InfineonIRFH7440TRPBF
Single N-Channel 40 V 2.4 mOhm 92 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
InfineonIRFH7446TRPBF
Single N-Channel 40 V 3.3 mOhm 65 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
STMicroelectronicsSTD155N3H6
N-channel 30 V, 2.5 mOhm, 80 A, DPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
onsemiNTTFS5C454NLTAG
Single N-Channel Power MOSFET 40V, 85A, 3.8mΩ Power MOSFET 40V, 85A, 3.8 mOhm, Single N-Channel, u8FL, Logic Level
VishaySQJ858AEP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 58A / Trans MOSFET N-CH 40V 58A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SQJ422EP-T1_GE3 fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 75 A, 0.0034 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Single N-Channel 40 V 3.4 mOhm 83 W SMT Automotive Power Mosfet - PowerPAK SO-8L
MOSFET Devices; VISHAY; SQJ422EP-T1_GE3; 40 V; 75 A; 20 V; 83 W
83W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 100nC@ 10 V 1N 40V 3.4m¦¸@ 18A,10V 74A 5nF@20V
MOSFET, N-CH, 40V, 75A, PPAKSO8L
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N-CH, 40V, 75A, PPAKSO8L; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:75A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:83W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +96.45%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance3.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.66 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation83 W
Rds On Max3.4 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time29 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height1.267 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SQJ422EP-T1_GE3.
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità