Vishay SQJ415EP-T1_GE3
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +12.06%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SQJ415EP-T1_GE3.
Scheda dati ufficiale7 anni fa
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Descrizioni
Descrizioni di Vishay SQJ415EP-T1_GE3 fornite dai suoi distributori.
MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8 / P-Channel 40 V 30A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Aec-Q P-Channel 40 V (D-S) 175C Mosfet Rohs Compliant: Yes |Vishay SQJ415EP-T1_GE3
Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 30 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
AEC-Q P-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -30A; Drain Source Voltage Vds: -40V; On Resistance Rds(on): 0.0115ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vg
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +12.06%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Drain to Source Breakdown Voltage-40 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation45 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time67 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height1.267 mm
Schede tecniche e documenti
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