Vishay SQ2315ES-T1_GE3
$ 0.308
Obsolete
Prezzo e stock
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Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -5.86%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SQ2315ES-T1_GE3.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SimboloImpronta |
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Supply Chain
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-10-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-08-22
LTD Date2026-02-24
Parti correlate
VishaySI2333CDS-T1-E3
MOSFET, P CH, -12V, -7.1A, TO-236-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous D
VishaySI2365EDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Surface Mount
VishaySQ2301ES-T1_GE3
VISHAY SQ2301ES-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -3.9 A, -20 V, 0.08 ohm, -4.5 V, -450 mV
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SQ2315ES-T1_GE3 fornite dai suoi distributori.
SQ2315ES-T1-GE3 P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3 A, 12 V, 3-PIN SOT-23
Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 12V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236
MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
Vishay PMOS SQ Rugged, Vds=12 V, 3 A, SOT-23, , 3
IC MCU 32BIT 128KB FLASH 64LQFP
MOSFET, P CH, W/D, 12V, 5A, SOT23; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -5A; Drain Source Voltage Vds: -12V; On Resistance Rds(on): 0.042ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: -450
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -5.86%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-236
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-12 V
Drain to Source Resistance50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-12 V
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2 W
Rise Time19 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-450 mV
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SQ2315ES-T1_GE3.
Conformità
Classificazione ambientale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità