Vishay SISH114ADN-T1-GE3
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +36.43%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Descrizioni
Descrizioni di Vishay SISH114ADN-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 30 V 7.5 mOhm SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK 1212-8
3.7W(Ta),39W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 32nC@ 10 V 1N 30V 7.5m¦¸@ 18A,10V 18A,35A 1.23nF@15V PPAK
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R
Mosfet, N-Ch, 30V, 35A, 150Deg C, 39W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(On):0.0062Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Vishay SISH114ADN-T1-GE3
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 35 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 30 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 7.5 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 7 / Rise Time ns = 8 / Turn-OFF Delay Time ns = 20 / Turn-ON Delay Time ns = 11 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = PowerPAK 1212-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / Packaging = Cut Tape / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 39
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +36.43%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance7.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation39 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.7 W
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height980 µm
Schede tecniche e documenti
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