Vishay SIS862ADN-T1-GE3

Name: Vishay SIS862ADN-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SIS862ADN-T1-GE3

Single N-Channel 60 V 7.2 mOhm SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK 1212-8

$ 0.467

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	SIS862ADN-T1-GE3	958	1	Cut Tape	1,330	1,080	0,839	0,662	0,622
Arrow Electronics		SIS862ADN-T1-GE3	4479	1		1,475	0,945	0,606	0,437	0,336
Verical		SIS862ADN-T1-GE3	4479	18				0,606	0,437	0,336
Future Electronics		SIS862ADN-T1-GE3	6000	3K	Tape & Reel					0,595
DigiKey	3	SIS862ADN-T1-GE3CT-ND	38.486	1	Cut Tape	1,560	0,984	0,654	0,467	0,467

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Newark

Datasheet9 pagine5 anni fa

Future Electronics

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Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2019-03-14

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Descrizioni

Descrizioni di Vishay SIS862ADN-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.

Single N-Channel 60 V 7.2 mOhm SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK 1212-8

Future Electronics

MOSFET, N-CH, 60V, 52A, 150DEG C, 39W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:52A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0057ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.

element14 APAC

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 52 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 60 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 8.6 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 10 / Rise Time ns = 73 / Turn-OFF Delay Time ns = 21 / Turn-ON Delay Time ns = 20 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = PowerPAK 1212-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 39

Distrelec

Immagini

Alias del produttore

Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi: