Vishay SIRA99DP-T1-GE3
$ 1.56
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | SIRA99DP-T1-GE3 | 1853 | 30 | |||||||||
| TME | SIRA99DP-T1-GE3 | 1853 | 1 | 10h | ||||||||
| TTI | SIRA99DP-T1-GE3 | 0 | 6K | Tape & Reel | 1d | |||||||
| Newark | SIRA99DP-T1-GE3 | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | SIRA99DP-T1-GE3 | 0 | 6K | 4d |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -90.61%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SIRA99DP-T1-GE3.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Descrizioni
Descrizioni di Vishay SIRA99DP-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
Transistor MOSFET P-Channel 30V 195A 8-Pin SOIC
Avnet Japan
Trans MOSFET P-CH 30V 195A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 30V, 0.0017ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Vishay PMOS, Vds=30 V, 195 A, PowerPAK SO-8, , 8
MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK
Mosfet, P-Ch, -30V, -195A, Powerpak So-8; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:195A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.5V Rohs Compliant: Yes |Vishay SIRA99DP-T1-GE3
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -90.61%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)195 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance1.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)-20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Manufacturer Package IdentifierS17-0173-Single
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation6.35 W
Turn-Off Delay Time64 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SIRA99DP-T1-GE3.