Vishay SIRA60DP-T1-GE3
$ 0.815
NRND
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +231%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-09-25
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
InfineonIRLB8314PBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
InfineonIRFH7932TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS
onsemiNTD4804N-35G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 14.5A Ta 124A Tc 117A 2.5W 5ns
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SIRA60DP-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
N-Channel 30 V 0.94 mOhm 57 W TrenchFET Gen IV Mosfet - PowerPAK SO-8
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
57W(Tc) 20V,16V 2.2V@ 250¦ÌA 60nC@ 4.5 V 1N 30V 940¦Ì¦¸@ 20A,10V 100A 7.65nF@15V DFN-8,PAKSO-8
30V 100A 57W 0.94mΩ@10V,20A N Channel PowerPAK-SO-8 MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.00094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Mosfet, N-Ch, 30V, 100A, Powerpak So; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:100A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.2V Rohs Compliant: Yes |Vishay SIRA60DP-T1-GE3
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +231%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Resistance940 µΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation57 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.2 V
Schede tecniche e documenti
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