Vishay SIRA06DP-T1-GE3
$ 0.667
NRND
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -1.51%
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Parti alternative
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-02-27
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
VishaySIRA04DP-T1-GE3
MOSFET, 30V, 40A, PPAKSO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Curr
VishaySIR166DP-T1-GE3
SiR166DP Series N-Channel 30 V 0.0040 Ohm 48 W SMT Mosfet - PowerPAK® SO-8
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SIRA06DP-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
MOSFET, N-CH, 30V, PPAK-SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Cur
Single N-Channel 30 V 2.5 mOhm TrenchFET Gen IV Power Mosfet - PowerPAK SOIC-8
SEMICONCUCTOR, MOSFET;TRENCHFET;N-CHANNEL;30V;40A;2.5MOHM @ 10V;POWERPAK SO-8
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -1.51%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance2.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.595 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation62.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation5 W
Rds On Max2.5 mΩ
Resistance2.5 mΩ
Threshold Voltage1.1 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length6.25 mm
Width5.26 mm
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità