Vishay SIR818DP-T1-GE3
$ 0.575
NRND
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | SIR818DP-T1-GE3 | 2798 | 3 | |||||||||
| Arrow Electronics | SIR818DP-T1-GE3 | 2798 | 1 | |||||||||
| DigiKey | SIR818DP-T1-GE3CT-ND | 1560 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SIR818DP-T1-GE3 | 0 | 3K | 13h | ||||||||
| Future Electronics | SIR818DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.19%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SIR818DP-T1-GE3.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-10
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
VishaySISA04DN-T1-GE3
MOSFET, 30V, 40A, PPAK1212-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Cu
VishaySIS476DN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 40 A, 0.00205 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
onsemiFDMS0308AS
2.5W(Ta),50W(Tc) 20V 3V@1mA 47nC@ 10 V 1N 30V 2.8m¦¸@ 24A,10V 24A,49A 3nF@15V QFN 6mm*5mm*1.1mm
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SIR818DP-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 30 V 0.0028 Ohm 69 W Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
N-Ch 30V 50A 5,2W 0,0028R PowerPakSO8
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 30 Volts 50 Amps 69 Watts
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.19%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.66 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation69 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation5.2 W
Rds On Max2.8 mΩ
Resistance2.8 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SIR818DP-T1-GE3.
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità