Vishay SIR626DP-T1-RE3
$ 1.16
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -24.19%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SIR626DP-T1-RE3.
Modelli CAD
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Descrizioni
Descrizioni di Vishay SIR626DP-T1-RE3 fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 60 V 1.7 mOhm SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
104W(Tc) 20V 3.4V@ 250¦ÌA 78nC@ 7.5 V 1N 60V 1.7m¦¸@ 20A,10V 100A 5.13nF@30V 4.9mm*5.89mm*1.07mm
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 60V 100A POWERPAKSO
MOSFET, N-CH, 60V, 100A, POWERPAK SO; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:100A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3.4V RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -24.19%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Manufacturer Package IdentifierS17-0173-Single
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation6.25 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height1.17 mm
Schede tecniche e documenti
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