Vishay SIHG33N65EF-GE3
$ 3.899
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SIHG33N65EF-GE3 | 0 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | SIHG33N65EF-GE3 | 0 | 500 | Box | ||||||||
| Avnet | SIHG33N65EF-GE3 | 0 | 500 | 3d | ||||||||
| TTI Europe | SIHG33N65EF-GE3 | 0 | 500 | Tube | 19h | |||||||
| TTI Asia | SIHG33N65EF-GE3 | Contatto | 7h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SIHG33N65EF-GE3.
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-01-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
VishaySIHG33N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC / Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
STMicroelectronicsSTWA45N65M5
N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 long leads package
STMicroelectronicsSTW50N65DM2AG
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 650V, 38A, 300W Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW50N65DM2AG
onsemiFCH110N65F-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 35 A, 110 mΩ, TO-247
onsemiFCH099N60E
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 37 A, 99 mΩ, TO-247
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SIHG33N65EF-GE3 fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 650V 31.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST BODY DIODE
313W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 171nC@ 10V 1N 650V 109m¦¸@ 16.5A,10V 31.6A 4.026nF@100V TO-247 15.87mm*5.31mm*20.82mm
Power Field-Effect Transistor, 31.6A I(D), 650V, 0.109ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
MOSFET N-CH 650V 31.6A TO247AC
N-CH 700V 31,6A 95mOhm TO-247AC
MOSFET, N-CH, 650V, 31.6A, TO-247AC-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:31.6A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.095ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)31.6 A
Drain to Source Resistance109 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Input Capacitance4.026 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation313 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max109 mΩ
Threshold Voltage4 V
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SIHG33N65EF-GE3.