Vishay SIA923EDJ-T1-GE3
$ 0.351
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SIA923EDJ-T1-GE3 | 35.527 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | SIA923EDJ-T1-GE3CT-ND | 3457 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SIA923EDJ-T1-GE3 | 9000 | 3K | Tape & Reel | 16h | |||||||
| TME | SIA923EDJ-T1-GE3 | 0 | 3K | 3h | ||||||||
| Avnet | SIA923EDJ-T1-GE3 | 0 | 3K | 15h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -1.74%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
VishaySIA914ADJ-T1-GE3
SiA914ADJ Series 20 V 0.043 Ohm Dual N-Channel MOSFET - PowerPAK SC-70-6 Dual
onsemiNTLJS3180PZTAG
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN / P-Channel 20 V 3.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Diodes Inc.ZXMN2B03E6TA
ZXMN2B03E6 Series 20 V 0.04 Ohm N-channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-6
NXP SemiconductorsPMDPB42UN,115
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SIA923EDJ-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
MOSFET, DUAL P-CH, -20V, POWERPAK SC70-6; Transistor Polarity:Dual P Channel; Co
SiA923EDJ Series Dual P Channel 20 V 0.054 Ohm 7.8 W Mosfet - PowerPAK SC-70-6
SIA923EDJ-T1-GE3 DUAL P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 4.5 A, 20 V, 6-PIN SC-70
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R / MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -1.74%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight28.009329 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance54 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation7.8 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-500 mV
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation1.9 W
Rds On Max54 mΩ
Resistance54 mΩ
Rise Time16 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità