Vishay SIA537EDJ-T1-GE3
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Production
Prezzo e stock
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Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | SIA537EDJ-T1-GE3 | 6000 | 3K | 8h | ||||||||
| Newark | SIA537EDJ-T1-GE3 | 6000 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | SIA537EDJ-T1-GE3 | 3000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | SIA537EDJ-T1-GE3 | 6000 | 1 | |||||||||
| TTI | SIA537EDJ-T1-GE3 | 3000 | 3K | Tape & Reel | 8h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +24.09%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Parti correlate
Diodes Inc.DMG3420U-7
N-Channel 20 V 29 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
Diodes Inc.DMN2075U-7
Single N-Channel 20 V 45 mOhm 7 nC 0.8 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SIA537EDJ-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N/P-CH 12V/20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
N-Ch/P-Ch 12 V/20 V 28 mOhm/54 mOhm SMT TrenchFET® Power Mosfet - SC-70
MOSFET, N&P CH, 12V, 4.5A, POWERPAK SC70
N-CH 12-V (D-S) & P-CH 20-V (D-S) MOSFET
MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L / Mosfet Array N and P-Channel 12V, 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Small Signal Field-Effect Transistor, 12V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L
N/P-CH PPAK SC-70 12/20 V 28/54MOHMS @ 4.5V
PowerPAK SC-70-6L MOSFETs ROHS
MOSFET, N&P CHANNEL, 12V, 4.5A, POWERPAK; MOSFET, N&P CHANNEL, 12V, 4.5A, POWERPAK SC70; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:4.5A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(on):0.023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; No. of Pins:6Pins
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight28.009329 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance28 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance455 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation7.8 W
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max28 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time15 ns