Vishay SIA431DJ-T1-GE3
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Tendenza a 3 mesi: -1.31%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginGermany, Israel
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SIA431DJ-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
Single P-Channel 20 V 25 mOhm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), -20V, 0.025ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Transistor; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current, Id:-12A; Drain Source Voltage, Vds:-20V; On Resistance, Rds(on):0.025ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-0.85V ;RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -1.31%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.7 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation19 W
Min Breakdown Voltage-20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-850 mV
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.5 W
Rds On Max25 mΩ
Resistance25 MΩ
Rise Time25 ns
Turn-Off Delay Time65 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Dimensions
Height750 µm
Length2.05 mm
Width2.05 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità