Vishay SIA414DJ-T1-GE3

N Channel 8 V 0.041 O 19 W 32 nC Surface Mount Power MosFet - PPAK-SC-70-6
$ 0.385
Obsolete
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SIA414DJ-T1-GE3.

Newark

Datasheet9 pagine12 anni fa
Datasheet9 pagine10 anni fa
Datasheet9 pagine11 anni fa
Datasheet9 pagine12 anni fa

Farnell

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-10.92%

Modelli CAD

Scarica il simbolo Vishay SIA414DJ-T1-GE3, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
Component Search Engine
SimboloImpronta
3DScarica
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Supply Chain

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Parti correlate

Single P-Channel 12 V 0.029 Ohm Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L
SI1050X-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 1.34 A, 8 V, 6-PIN SC-89
MOSFET, P CH, ESD, 8V, 9A, PPK SC75; Transistor Polarity:P Channel; Continuous D
onsemiFDG1024NZ
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 20 V, 1.2 A, 175 mΩ
onsemiFDG6303N
Transistor MOSFET Negative Channel 25 Volt 0.5A 6-Pin SC-70 T/R
onsemiFDG6321C
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R

Descrizioni

Descrizioni di Vishay SIA414DJ-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.

N Channel 8 V 0.041 O 19 W 32 nC Surface Mount Power MosFet - PPAK-SC-70-6
Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R / MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6
Power MOSFET, N Channel, 8 V, 12 A, 0.009 ohm, SC-70, Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 8V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
3.5W(Ta),19W(Tc) 5V 800mV@ 250¦ÌA 32nC@ 5 V 1N 8V 11m¦¸@ 9.7A,4.5V 12A 1.8nF@4V SOT 2.05mm*2.05mm*750¦Ìm
MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
PowerPAK-SC-70-6L MOSFETs ROHS
MOSFET,N CH,8V,12A,SC70-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:8V; On Resistance Rds(on):9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:800mV; Power Dissipation Pd:3.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SC-70; No. of Pins:6; Current Id Max:12A; Power Dissipation Pd:3.5W; Voltage Vgs Max:5V

Alias del produttore

Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • SIA414DJ-T1-GE3.