Vishay SI8810EDB-T2-E1
$ 0.174
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SI8810EDB-T2-E1CT-ND | 315 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SI8810EDB-T2-E1 | 0 | 3K | 23h | ||||||||
| TTI | SI8810EDB-T2-E1 | 0 | 3K | Tape & Reel | 13h | |||||||
| Future Electronics | SI8810EDB-T2-E1 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | SI8810EDB-T2-E1 | 0 | 3K | 4d |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +133%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI8810EDB-T2-E1.
Supply Chain
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
VishaySI8406DB-T2-E1
VISHAY SI8406DB-T2-E1 MOSFET Transistor, N Channel, 16 A, 20 V, 0.026 ohm, 4.5 V, 400 mV
VishaySI8472DB-T2-E1
780mW(Ta) 8V 900mV@ 250¦ÌA 18nC@ 8 V 1N 20V 44m¦¸@ 1.5A,4.5V 630pF@10V BGA 960¦Ìm*960¦Ìm*260¦Ìm
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SI8810EDB-T2-E1 fornite dai suoi distributori.
20V 2.1A 72m´Î@4.5V1A 500mW 900mV@250Ã×A N Channel BGA-4 MOSFETs ROHS
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET
Trans MOSFET N-CH 20V 2.9A 4-Pin Micro Foot T/R
20V, 2.9A, 0.072ohm, TrenchFET®, N-Channel, MICROFOOT 0.8X0.8
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
500mW(Ta) 8V 900mV@ 250¦ÌA 8nC@ 8 V 1N 20V 72m¦¸@ 1A,4.5V 245pF@10V MICROFOOT-4 1.6mm*1.6mm*650¦Ìm
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +133%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageBGA
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance92 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance245 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Power Dissipation900 mW
Rds On Max72 mΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time25 ns
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI8810EDB-T2-E1.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità