Vishay SI8802DB-T2-E1
$ 0.188
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SI8802DB-T2-E1 | 35 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | SI8802DB-T2-E1 | 2960 | 10 | |||||||||
| Arrow Electronics | SI8802DB-T2-E1 | 2960 | 1 | |||||||||
| TTI | SI8802DB-T2-E1 | 0 | 3K | Tape & Reel | 9h | |||||||
| Future Electronics | SI8802DB-T2-E1 | 0 | 3K | Tape & Reel |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -70.71%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 SnapEDA | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-07-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
VishaySI8416DB-T2-E1
VISHAY SI8416DB-T2-E1 MOSFET Transistor, N Channel, 16 A, 8 V, 0.019 ohm, 4.5 V, 350 mV
VishaySI8472DB-T2-E1
780mW(Ta) 8V 900mV@ 250¦ÌA 18nC@ 8 V 1N 20V 44m¦¸@ 1.5A,4.5V 630pF@10V BGA 960¦Ìm*960¦Ìm*260¦Ìm
VishaySI8806DB-T2-E1
VISHAY SI8806DB-T2-E1 MOSFET Transistor, N Channel, 3.9 A, 12 V, 0.035 ohm, 4.5 V, 400 mV
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SI8802DB-T2-E1 fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 8 V 54 mOhm 4.3 nC Surface Mount Power Mosfet - MICRO FOOT
MOSFET N-CH 8V MICROFOOT / Trans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot T/R
N-CHANNEL 8 V (D-S) MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 8V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -70.71%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageBGA
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage8 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)8 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)5 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation900 mW
Min Breakdown Voltage8 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs350 mV
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation500 mW
Rds On Max54 mΩ
Resistance54 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità