Vishay SI8497DB-T2-E1
$ 0.289
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | SI8497DB-T2-E1 | 3000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | SI8497DB-T2-E1CT-ND | 2990 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SI8497DB-T2-E1 | 0 | 3K | 5h | ||||||||
| TTI | SI8497DB-T2-E1 | 0 | 3K | Tape & Reel | 3d | |||||||
| Newark | SI8497DB-T2-E1 | 0 | 3K | Cut Tape |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.15%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI8497DB-T2-E1.
Scheda dati ufficiale10 anni fa
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-07-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
VishaySI8489EDB-T2-E1
SI8489EDB-T2-E1 P-channel MOSFET Transistor; 4.3 A; 20 V; 4-Pin MICRO FOOT
VishaySI8416DB-T2-E1
VISHAY SI8416DB-T2-E1 MOSFET Transistor, N Channel, 16 A, 8 V, 0.019 ohm, 4.5 V, 350 mV
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SI8497DB-T2-E1 fornite dai suoi distributori.
P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 6-Pin Micro Foot T/R
30V 13A 53mOhm P-Channel 6-UFBGA
MOSFET P-CH 30V 13A 6MICROFOOT
2.77W(Ta),13W(Tc) 12V 1.1V@ 250¦ÌA 49nC@ 10 V 1P 30V 53m¦¸@ 1.5A,4.5V 13A 1.32nF@15V MICROFOOT-6 2.36mm*1.56mm*600¦Ìm
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.15%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageBGA
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Resistance53 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.32 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation13 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max53 mΩ
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time75 ns
Turn-On Delay Time50 ns
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI8497DB-T2-E1.
Scheda dati ufficiale10 anni fa
Conformità
Classificazione ambientale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità