Vishay SI4599DY-T1-GE3
$ 0.394
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SI4599DY-T1-GE3 | 4 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | SI4599DY-T1-GE3 | 2292 | 94 | |||||||||
| Future Electronics | SI4599DY-T1-GE3 | 2500 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| TME | SI4599DY-T1-GE3 | 2292 | 1 | 19h | ||||||||
| DigiKey | SI4599DY-T1-GE3CT-ND | 2485 | 1 | Cut Tape |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -34.05%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI4599DY-T1-GE3.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-11-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
InfineonIRF7201TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.03Ohm;ID 7.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55d
InfineonIRF7201PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.03Ohm;ID 7.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55d
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SI4599DY-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
SI4599DY-T1-GE3 DUAL N/P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR,4.7 A,6.8 A,40V,8-PIN SOIC
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.8A/5.8A 8-Pin SOIC N T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 40V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -34.05%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight540.001716 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance35.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance640 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.1 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Power Dissipation2 W
Rds On Max35.5 mΩ
Resistance45 mΩ
Rise Time33 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.4 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time44 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI4599DY-T1-GE3.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità