Vishay SI4485DY-T1-GE3
$ 0.303
NRND
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | SI4485DY-T1-GE3 | 34 | 1 | |||||||||
| Verical | SI4485DY-T1-GE3 | 34 | 32 | |||||||||
| Future Electronics | SI4485DY-T1-GE3 | 2500 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| CoreStaff | ST45813179 | 2186 | 1 | 22h | ||||||||
| DigiKey | SI4485DY-T1-GE3CT-ND | 2908 | 1 | Cut Tape |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -18.51%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 SnapEDA | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-25
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 weeks ago)
Parti correlate
VishaySI4214DY-T1-GE3
Si4214DY Series Dual N-Channel 30 V 0.0235 Ohm 3.1 W Power Mosfet - SO-8
Diodes Inc.DMN3018SSD-13
Dual N-Channel 30 V 30 mOhm 6 nC 1.5 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.DMC3021LSDQ-13
Dual N/P-Channel 30 V 32 /53 mOhm 7.8/10.1 nC 2.5 W Silicon Mosfet - SOIC-8
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SI4485DY-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
Single P-Channel 30 V 0.042 Ohm 5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
2.4W(Ta),5W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 21nC@ 10 V 1P 30V 42m¦¸@ 5.9A,10V 6A 590pF@15V SOIC-8 1.5mm
Trans MOSFET P-CH 30V 5.9A 8-Pin SOIC N T/R
MOSFET, P CH, -30V, -6A, SOIC-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-6A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.035ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:5W; No. of Pins:8 ;RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -18.51%
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance42 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance950 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1.2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.4 W
Rds On Max24 mΩ
Resistance42 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità