Vishay SI4114DY-T1-GE3
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Tendenza a 3 mesi: -1.18%
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
InfineonIRF7457PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 5.5Milliohms;ID 15A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7425TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 8.2 Milliohms;ID -15A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-1
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SI4114DY-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 20 V 6 mOhm 5.7 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 20V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 15.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:20000mA; Drain Source Voltage, Vds:20V; On Resistance, Rds(on):0.007ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.1V; Power Dissipation, Pd:2.5W ;RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -1.18%
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight186.993455 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)15.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance3.7 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5.7 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max6 mΩ
Resistance6 MΩ
Rise Time13 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.1 V
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità