Vishay SI1553CDL-T1-GE3
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SI1553CDL-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
SI1553CDL-T1-GE3 Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 0.4A, 0.7A, 20V, 6-Pin SOT-363
N / P-Channel 20 V 0.39/0.85 O Power Mosfet - SOT-363 (SC-70-6)
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N/P-CH, 20V, 0.7A, SOT-363-6; Transistor Polarity: N and P Channel; Continuous Drain Current Id: 700mA; Drain Source Voltage Vds: 20V; On Resistance Rds(on): 0.325ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage
Channel Type:N and P Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:20V; Drain Source Voltage Vds P Channel:20V; Continuous Drain Current Id N Channel:700mA; Continuous Drain Current Id P Channel:500mA; No. of Pins:6Pins RoHS Compliant: No
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +17.63%
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight28.009329 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)700 mA
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance390 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance38 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation340 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation290 mW
Rds On Max390 mΩ
Resistance850 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità