Vishay SI1443EDH-T1-GE3
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -10.34%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
VishaySI1416EDH-T1-GE3
SI1416EDH-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3.9 A, 30 V, 6-PIN SOT-363
onsemiNTJS4160NT1G
Small Signal MOSFET 30V 3.2A 60 mOhm Single N-Channel SC−88/SC70−6/SOT−363
Diodes Inc.DMN63D8LDW-7
Dual N-Channel 30 V 2.8 O 0.3 W SMT Enhancement Mode MosFet - SOT-363
VishaySI1539CDL-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 700 mA, 700 mA, 0.323 ohm
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SI1443EDH-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
MOSFET, P-CH, -30V, -4A, SOT-363-6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Dr
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SC-70 T/R
P-Ch MOSFET SC-70-6 (SOT-363) 20V 85ohms @ 1.8V
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
P-CHAN.MOS-FET 30V 4A SOT363 RoHSconf
MOSFET, P-CH, -30V, -4A, SOT-363-6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.043ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.5
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -10.34%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-363
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight7.512624 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance54 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time420 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.8 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-600 mV
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max54 mΩ
Rise Time64 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time1.8 µs
Turn-On Delay Time40 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità