Vishay IRLD120PBF

Single N-Channel 100 V 0.27 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4
Obsolete
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay IRLD120PBF.

Newark

Datasheet9 pagine4 anni fa
Datasheet9 pagine14 anni fa
Datasheet8 pagine16 anni fa
Datasheet9 pagine10 anni fa
Datasheet9 pagine11 anni fa
Datasheet6 pagine28 anni fa

element14 APAC

Verical

RS (Formerly Allied Electronics)

TME

Modelli CAD

Scarica il simbolo Vishay IRLD120PBF, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
Component Search Engine
SimboloImpronta
3DScarica
EE Concierge
SimboloImpronta
Ultra Librarian
SimboloImpronta
Scarica
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-11-18
LTD Date2025-05-18

Parti correlate

Single N-Channel 100 V 0.54 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4
Single N-Channel 60 V 0.2 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4
Single N-Channel 100 V 0.27 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4
onsemiFAN7530N
PFC IC Critical Conduction (CRM), Discontinuous (Transition) 8-DIP

Descrizioni

Descrizioni di Vishay IRLD120PBF fornite dai suoi distributori.

Single N-Channel 100 V 0.27 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP | Siliconix / Vishay IRLD120PBF
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N Channel Mosfet, 100V, 1.3A, Hd-1; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:1.3A; On Resistance Rds(On):0.27Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:5V Rohs Compliant: No
MOSFET, N, LOGIC, DIL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.3A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):270mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:1.3W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:DIP; No. of Pins:4; Current Id Max:1.3A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRLD120PBF; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Package / Case:DIP; Power Dissipation Pd:1.3W; Power Dissipation Pd:1.3W; Pulse Current Idm:10A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds:100V; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:10V; Voltage Vgs Rds on Measurement:5V

Alias del produttore

Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IRLD120PBF.