Vishay IRFUC20PBF
$ 0.506
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | IRFUC20PBF | 2850 | 1 | |||||||||
| Verical | IRFUC20PBF | 527 | 20 | |||||||||
| TME | IRFUC20PBF | 188 | 1 | 7h | ||||||||
| DigiKey | IRFUC20PBF-ND | 2529 | 1 | Tube | ||||||||
| TTI | IRFUC20PBF | 0 | 3K | Tube | 11h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +4.72%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay IRFUC20PBF.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30
Parti correlate
STMicroelectronicsSTD3NK50Z-1
STMICROELECTRONICS STD3NK50Z-1 MOSFET Transistor, N Channel, 1.15 A, 500 V, 2.8 ohm, 10 V, 3.75 V
Descrizioni
Descrizioni di Vishay IRFUC20PBF fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 600 V 4.4 Ohms Through Hole Power Mosfet - IPAK (TO-251)
Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
MOSFET, N-CH, 600V, 2A, TO-251AA; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 2A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 4.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +4.72%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance4.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance350 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation42 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max4.4 Ω
Resistance4.4 Ω
Rise Time23 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height6.22 mm
Length6.73 mm
Width2.39 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità