Vishay IRFP23N50LPBF
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
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Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-02-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30
Descrizioni
Descrizioni di Vishay IRFP23N50LPBF fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 500 V 0.235 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.235ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N, 500V, 23A, TO-247AC; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 23A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.235ohm; R; Available until stocks are exhausted Alternative available
Mosfet, N, 500V, 23A, To-247Ac; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:23A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:500V; Resistencia De Activación Rds(On):235Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Núm. De Contactos:3 |Vishay IRFP23N50LPBF
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)23 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance235 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.6 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation370 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation370 W
Rds On Max235 mΩ
Resistance235 mΩ
Rise Time94 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time53 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Dimensions
Height20.7 mm
Length15.87 mm
Width5.31 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità