Vishay IRFI614GPBF
$ 0.777
Obsolete
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Parti correlate
InfineonIPP17N25S3100AKSA1
250V, N-Ch, 100 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™-T, PG-TO220-3, RoHS
Descrizioni
Descrizioni di Vishay IRFI614GPBF fornite dai suoi distributori.
HEXFET® Power MOSFET | MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220FP
250V, 1.3A, 2 ohms, Single N-channel, TO-220FullPak
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
NCHAN, TO-220F, 250V IRFI614GPBF
MOSFET, N, 250V, 2.1A, TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 2.1A; Drain Source Voltage Vds: 250V; On Resistance Rds(on): 2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power D
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.1 A
Drain to Source Resistance2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Dual Supply Voltage250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance140 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation23 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Rds On Max2 Ω
Resistance2 kΩ
Rise Time7.6 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height9.8 mm
Length10.63 mm
Width4.83 mm
Conformità
Classificazione ambientale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità