Vishay IRFD9110PBF

Single P-Channel 100 V 1.2 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRFD9110PBF02500Bulk
2h
TTI AsiaIRFD9110PBFContatto
16h
element14 APACIRFD9110PBF01
1h
FarnellIRFD9110PBF01
12h
HQonlineDS007598641
>1w

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay IRFD9110PBF.

Newark

Datasheet9 pagine4 anni fa
Datasheet9 pagine14 anni fa
Datasheet8 pagine21 anni fa
Datasheet8 pagine16 anni fa
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element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

TME

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Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1993-09-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30

Parti correlate

VishayIRFD110PBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1 A, 540 MilliOhms, HVMDIP, 4 Pins, Through Hole
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Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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Single P-Channel 100 V 0.6 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4
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onsemiFAN7530N
PFC IC Critical Conduction (CRM), Discontinuous (Transition) 8-DIP
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Vishay IRFD9110PBF fornite dai suoi distributori.

Single P-Channel 100 V 1.2 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4
Future Electronics
Transistor MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
North Star Micro
MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP | Siliconix / Vishay IRFD9110PBF
RS (Formerly Allied Electronics)
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ComSIT Distribution GmbH
P Channel Mosfet, -100V, 700Ma Hd-1; Transistor Polarity:p Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:700Ma; On Resistance Rds(On):1.2Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: No
Newark
MOSFET, P, DIL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:700mA; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Power Dissipation Pd:1.3W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:DIP; No. of Pins:4; Current Id Max:-700mA; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Package / Case:DIP; Power Dissipation Pd:1.3W; Power Dissipation Pd:1.3W; Pulse Current Idm:5.6A; Row Pitch:7.62mm; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:-100V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
element14 APAC

Immagini

Vishay
Newark
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RS
TME
RS
iiiC
Future Electronics
Farnell
Jameco

Alias del produttore

Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IRFD9110PBF.
  • IRFD9110PBF..