Vishay IRFBF20PBF
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Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -20.20%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Modelli CAD
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descrizioni
Descrizioni di Vishay IRFBF20PBF fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 800 V 6.5 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Vishay NMOS, Vds=900 V, 1.7 A, TO-220AB, , 3
NCHAN, TO-220AB, 900V IRFBF20PBF
MOSFET, N, 900V, 1.7A, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 1.7A; Drain Source Voltage Vds: 900V; On Resistance Rds(on): 8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dis
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -20.20%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance8 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance490 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation54 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation54 W
Rds On Max8 Ω
Resistance6.5 Ω
Rise Time21 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time56 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height9.01 mm
Length10.41 mm
Width4.7 mm
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità