Vishay IRF820APBF
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -6.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-10-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descrizioni
Descrizioni di Vishay IRF820APBF fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 500 V 3 Ohm HEXFET Power MOSFET - TO-220AB
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 50 W
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N Channel Mosfet, 500V, 2.5A To-220; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:500V; Continuous Drain Current Id:2.5A; On Resistance Rds(On):3Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Msl:- Rohs Compliant: Yes
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -6.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Resistance3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance340 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation50 W
Rds On Max3 Ω
Recovery Time500 ns
Resistance3 Ω
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4.5 V
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time8.1 ns
Dimensions
Height9.01 mm
Length10.41 mm
Width4.7 mm
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità