Vishay IRF620PBF
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Parti correlate
InfineonIRF630NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.3Ohm;ID 9.3A;TO-220AB;PD 82W;VGS +/-20V
Descrizioni
Descrizioni di Vishay IRF620PBF fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 200 V 0.8 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB | Siliconix / Vishay IRF620PBF
200V 5.2A 50W 800m´Î@10V3.1A 4V@250Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
N CHANNEL MOSFET, 200V, 5.2A TO-220; Tra; Available until stocks are exhausted Alternative available
Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N Channel Mosfet, 200V, 5.2A To-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:5.2A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Msl:- Rohs Compliant: No |Vishay IRF620PBF.
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -3.21%
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.2 A
Current52 A
Current Rating5.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance800 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance260 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation50 W
Rds On Max800 mΩ
Recovery Time300 ns
Resistance800 mΩ
Rise Time22 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time7.2 ns
Voltage200 V
Voltage Rating (DC)250 V
Dimensions
Height19.89 mm
Length10.41 mm
Width4.7 mm
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità