Transphorm TP65H070LDG

Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 650V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Junction Cascode FET

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	Distributor		SKU		Min	Pkg
	QUARKTWIN TECHNOLOGY LTD		TP65H070LDG	Contatto			11,808	10,627	9,564	7,747	6,972	>1wk
	SD Chips		TP65H070LDG	Contatto		Tube	11,080	11,080	10,530	10,530	10,530	2d

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Schede tecniche e documenti

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Datasheet13 pagine6 anni fa

Descrizioni

Descrizioni di Transphorm TP65H070LDG fornite dai suoi distributori.

Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 650V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Junction Cascode FET

GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN

Alias del produttore

Transphorm ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Transphorm può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

TRANSPHORM INC

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Specifiche tecniche

Physical

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)25 A

Drain to Source Resistance85 mΩ

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation96 W

Min Breakdown Voltage650 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

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Conformità

Classificazione ambientale

RoHSCompliant