Toshiba TBC847B,LM
$ 0.038
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | TBC847BLMCT-ND | 50.802 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | TBC847B,LM | 0 | 3K | Tape & Reel | 2d | |||||||
| Avnet | TBC847B,LM | 0 | 3K | 2d | ||||||||
| HQonline | DS0113663 | 338 | 10 | >1w | ||||||||
| Arrow Electronics | TBC847B,LM | 0 | 3K |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -2.71%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Descrizioni
Descrizioni di Toshiba TBC847B,LM fornite dai suoi distributori.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin TO-236AB Emboss T/R
400mV@ 100mA,5mA NPN 320mW 6V 30nA 60V 50V 150mA SOT-23-3 2.9mm*1.3mm*900¦Ìm
General Purpose Transistors NPN Ic=150mA Vceo=50V hfe=200~450 P=320mW SOT23
Alias del produttore
Toshiba ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Toshiba può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- TOSH
- TOS
- Toshiba Semiconductor and Storage
- TOSHIB
- SMK
- TOSHIBA CORP
- TOSHI
- TSENG
- TOSHIBA CORPORATION
- Toshiba America Electronic Components
- TSH
- Toshiba Memory America Inc
- MARKTECH OPTOELECTRONICS
- TOSHIBA ELECTRONICS
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Toshiba America
- TOSHIBA ELECTRONIC COMPONENTS
- Toshiba Semiconductor
- Toshiba Lifestyle Products
- Toshiba America Electronic Components Inc
- TOSHIBA-PB FREE
- TOSHIBA SEMI
- TOSHIBAPb
- TOBHIBA
- TOSHBA
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
hFE Min200
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current150 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation320 mW
Number of Elements1
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Schede tecniche e documenti
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