Toshiba 2SC6026MFVGR,L3F
$ 0.044
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 2SC6026MFVGRL3FCT-ND | 17.674 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | 2SC6026MFVGR,L3F | 0 | 8K | 2d | ||||||||
| Mouser | 757-2SC6026MFVGRL3F | 17.540 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Component Stockers USA | 2SC6026MFVGR,L3F | 45.497 | 6d | |||||||||
| Win Source | WS-2SC6026MFVGR,L3F | 47.270 | 1180 | 10h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -19.86%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Toshiba 2SC6026MFVGR,L3F.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-03-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
ROHM2SC5658T2LS
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHMDTC114TMT2L
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiDTC124XM3T5G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descrizioni
Descrizioni di Toshiba 2SC6026MFVGR,L3F fornite dai suoi distributori.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R / TRANS NPN 50V 0.15A VESM
250mV@ 10mA,100mA NPN 150mW 5V 100nA 60V 50V 150mA SOT-723-3 1.2mm*800¦Ìm*500¦Ìm
50V 150mW 150mA 200@2mA6V 60MHz 150mV@100mA10mA NPN +150¡Í@(Tj) SOT-723 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Bipolar Transistors - BJT VESM PLN
Alias del produttore
Toshiba ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Toshiba può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- TOSH
- TOS
- Toshiba Semiconductor and Storage
- TOSHIB
- SMK
- TOSHIBA CORP
- TOSHI
- TSENG
- TOSHIBA CORPORATION
- Toshiba America Electronic Components
- TSH
- Toshiba Memory America Inc
- MARKTECH OPTOELECTRONICS
- TOSHIBA ELECTRONICS
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Toshiba America
- TOSHIBA ELECTRONIC COMPONENTS
- Toshiba Semiconductor
- Toshiba Lifestyle Products
- Toshiba America Electronic Components Inc
- TOSHIBA-PB FREE
- TOSHIBA SEMI
- TOSHIBAPb
- TOBHIBA
- TOSHBA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -19.86%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-723
Contact PlatingSilver, Tin
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current150 mA
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product60 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current150 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityNPN
Power Dissipation150 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency60 MHz
Dimensions
Height550 µm
Length1.2 mm
Width800 µm
Schede tecniche e documenti
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