Toshiba 2SC3325-Y,LF
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Tendenza a 3 mesi: +60.76%
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0 parti disponibili
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AA
Descrizioni
Descrizioni di Toshiba 2SC3325-Y,LF fornite dai suoi distributori.
Single Bipolar Transistor, NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, 3 Pins, Surface Mount
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
250mV@ 10mA,100mA NPN 200mW 5V 100nA 50V 50V 500mA TO-236-3 2.9mm*1.5mm*1.1mm
Alias del produttore
Toshiba ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Toshiba può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- TOSH
- TOS
- Toshiba Semiconductor and Storage
- TOSHIB
- SMK
- TOSHIBA CORP
- TOSHI
- TSENG
- TOSHIBA CORPORATION
- Toshiba America Electronic Components
- TSH
- Toshiba Memory America Inc
- MARKTECH OPTOELECTRONICS
- TOSHIBA ELECTRONICS
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Toshiba America
- TOSHIBA ELECTRONIC COMPONENTS
- Toshiba Semiconductor
- Toshiba Lifestyle Products
- Toshiba America Electronic Components Inc
- TOSHIBA-PB FREE
- TOSHIBA SEMI
- TOSHIBAPb
- TOBHIBA
- TOSHBA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +60.76%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min40
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation200 mW
Transition Frequency300 MHz
Schede tecniche e documenti
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