Toshiba 2SA1163-BL,LF
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -15.93%
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0 parti disponibili
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Modelli CAD
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onsemiNSVMMBT5401LT3G
Bipolar Transistors (BJT); NSVMMBT5401LT3G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 3; 500 mV; 500 mA
Descrizioni
Descrizioni di Toshiba 2SA1163-BL,LF fornite dai suoi distributori.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236
TRANS PNP 120V 0.1A SMINI / Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 100 mA 100MHz 150 mW Surface Mount S-Mini
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
300mV@ 1mA,10mA PNP 150mW 5V 100nA 120V 120V 100mA TO-236-3
Alias del produttore
Toshiba ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Toshiba può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- TOSH
- TOS
- Toshiba Semiconductor and Storage
- TOSHIB
- SMK
- TOSHIBA CORP
- TOSHI
- TSENG
- TOSHIBA CORPORATION
- Toshiba America Electronic Components
- TSH
- Toshiba Memory America Inc
- MARKTECH OPTOELECTRONICS
- TOSHIBA ELECTRONICS
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Toshiba America
- TOSHIBA ELECTRONIC COMPONENTS
- Toshiba Semiconductor
- Toshiba Lifestyle Products
- Toshiba America Electronic Components Inc
- TOSHIBA-PB FREE
- TOSHIBA SEMI
- TOSHIBAPb
- TOBHIBA
- TOSHBA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -15.93%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage120 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)120 V
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min350
Max Breakdown Voltage120 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature125 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Power Dissipation150 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Schede tecniche e documenti
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