Texas Instruments CSD18533KCS
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Risorse di progettazione
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Parti correlate
InfineonAUIRF1010Z
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
InfineonIPP062NE7N3GXKSA1
MOSFET N-Ch 75V 80A 136W(Tc) 3.8V@70µA 55nC@10V 6.2mΩ@73A,10V 3.84nF@37.5V TO-220 TH 9.45mm H
Descrizioni
Descrizioni di Texas Instruments CSD18533KCS fornite dai suoi distributori.
60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single TO-220, 6.3 mOhm 3-TO-220 -55 to 175
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.005OHM, 100A, TO-220-3
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220
192W(Tc) 20V 2.3V@ 250µA 34nC@ 10 V 1individualNChannel 60V 6.3mΩ@ 75A,10V 72A，100A 3.025nF@30V TO-220-3 Through hole mounting 10.67mm*4.7mm*16.51mm
MOSFET, N-CH, 60V, 100A, TO-220-3; Polarité transistor: Canal N; Courant de drain Id: 100A; Tension Vds max..: 60V; Résistance Rds(on): 0.005ohm; Tension, mesure Rds: 10V; Tension de seuil Vgs: 1.9V; Dissipation de puissance P
Mosfet, N-Ch, 60V, 100A, To-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(On):0.005Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.9V; Power Rohs Compliant: Yes |TEXAS INSTRUMENTS CSD18533KCS
Alias del produttore
Texas Instruments ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Texas Instruments può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.025 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.9 V
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Rds On Max6.3 mΩ
Rise Time4.8 ns
Threshold Voltage1.9 V
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time5.7 ns
Dimensions
Height4.7 mm
Length10.16 mm
Thickness4.58 mm
Width8.7 mm
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità