Texas Instruments CSD18511KCS
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Descrizioni
Descrizioni di Texas Instruments CSD18511KCS fornite dai suoi distributori.
40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single TO-220, 2.6 mOhm 3-TO-220 -55 to 175
188W(Ta) 20V 2.4V@250µA 64nC@10V N-Ch MOSFET 40V 2.6mΩ@100A,10V 194A 5.94nF@20V TO-220-3 TH
NexFET Power MOSFET N-Channel 40V 194A 2.1 mΩ 3-Pin TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N-CHANNEL; Configuration: SINGLE; Surface Mount: NO; Maximum Drain-Source On Resistance: .0042 ohm; No. of Elements: 1; Case Connection: DRAIN;
Alias del produttore
Texas Instruments ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Texas Instruments può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
Cronologia dell'inventario
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)110 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance2.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)40 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Power Dissipation188 W
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height4.7 mm
Length10.16 mm
Thickness4.58 mm
Width8.7 mm