Texas Instruments CSD13306WT
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Risorse di progettazione
Visualizza i kit di valutazione e i progetti di riferimento per Texas Instruments CSD13306WT.
Parti correlate
Diodes Inc.DMP1045U-7
P-Channel 12 V 31 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
VishaySI1442DH-T1-GE3
Vishay NChannelMOSTube, Vds=12 V, 4 A, SC-70encapsulation, surface mount
VishaySIA406DJ-T1-GE3
SiA406DJ Series N-Channel 12 V 0.0198 Ohm Power Mosfet -PowerPAK SC-70-6L-Single
VishaySI2305CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3 / Trans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
InfineonIRLML6401TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -12V;RDS(ON) 0.05Ohm;ID -4.3A;Micro3;PD 1.3W;VGS +/-8V
Descrizioni
Descrizioni di Texas Instruments CSD13306WT fornite dai suoi distributori.
12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1.5 mm, 10.2 mOhm 6-DSBGA -55 to 150
MOSFET N-CH 12V 6DSBGA / Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
CSD13306W 12V, N CHANNEL NEXFET
Alias del produttore
Texas Instruments ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Texas Instruments può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Specifiche tecniche
Physical
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Drain to Source Voltage (Vds)12 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance1.37 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.9 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation1.9 W
Rds On Max10.2 mΩ
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height1 mm
Length1.5 mm
Thickness2 mm
Width1.8 mm