STMicroelectronics STW58N65DM2AG
$ 6.98
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0 parti disponibili
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-09-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTW58N60DM2AG
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 600V, 50A, 360W Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW58N60DM2AG
STMicroelectronicsSTW65N65DM2AG
MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V,42 mOhm typ 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET
STMicroelectronicsSTWA57N65M5
N-channel 650 V, 0.056 Ohm typ., 42 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 long leads package
onsemiFCH077N65F-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 54 A, 77 mΩ, TO-247
onsemiFCH067N65S3-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 44 A, 67 mΩ, TO-247
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STW58N65DM2AG fornite dai suoi distributori.
Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
Trans MOSFET N-CH 650V 48A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
N Channel 650 V 48 A 360 W 68 mOhm Surface Mount Power Mosfet - TO-247
Hv Mosfet Mdmesh |Stmicroelectronics STW58N65DM2AG
360W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 88nC@ 10 V 1N 650V 65m¦¸@ 24A,10V 48A 4.1nF@100V TO-247-3 20.15mm*15.75mm*5.15mm
场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 48A, TO247;
Automotive Power Discrete, 650V, 48A, TO-247, Tube
STMicroelectronics SCT
MOSFET, N-CH, 650V, 48A, TO247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 48A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.058ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
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Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Technical
Continuous Drain Current (ID)48 A
Drain to Source Resistance65 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Input Capacitance4.1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation360 W
Min Operating Temperature-55 °C
Power Dissipation360 W
Rds On Max65 mΩ
Schedule B8541290080
Schede tecniche e documenti
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