STMicroelectronics STW57N65M5-4
$ 7.82
Obsolete
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Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | STW57N65M5-4 | 19 | 1 | 15h | ||||||||
| Avnet | STW57N65M5-4 | 0 | 600 | 1d | ||||||||
| Microchip USA | STW57N65M5-4 | 307 | 50 | Tube | 20h | |||||||
| Win Source | WS-STW57N65M5-4 | 1310 | 8 | 4h | ||||||||
| Worldway Electronics | STW57N65M5-4 | 18.580 | 7 | Tube | 3h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STW57N65M5-4 fornite dai suoi distributori.
N-channel 650 V, 0.056 Ohm typ., 42 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 package
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STW57N65M5-4 N-channel MOSFET Transistor, 42 A, 710 V, 4-Pin TO-247
Single N-Channel 650 V 0.063 Ohm 98 nC 250 W MDmesh Mosfet - TO-247-4
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Hv Mosfet Mdmesh |Stmicroelectronics STW57N65M5-4
GLOVE, POLYAMIDE, L/FREE, PU, SIZE 6 - More Details
650V 42A 56m´Î@10V21A 250W 4V@250uA 9pF@100V N Channel 4.2nF@100V 98nC@10V +150¡Í@(Tj) TO-247-4 MOSFETs ROHS
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STMicroelectronics SCT
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247-4
MountThrough Hole
Number of Pins4
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance63 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance4.2 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max63 mΩ
Rise Time9 ns
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time79 ns
Dimensions
Height21.1 mm
Length15.9 mm
Width5.1 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant