STMicroelectronics STW56N60DM2
$ 7.29
Production
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +305%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-06-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTW55NM60ND
Mosfet Transistor, N Channel, 51 A, 600 V, 0.047 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
STMicroelectronicsSTW56N60M2
N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
InfineonIPW60R070P6XKSA1
600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET, / N-Channel 600 V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
STMicroelectronicsSTW48N60DM2
N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long leads package
InfineonIPW60R060C7XKSA1
Mosfet, N-Ch, 600V, 35A, To-247; |Infineon Technologies IPW60R060C7XKSA1
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STW56N60DM2 fornite dai suoi distributori.
N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
N-Channel 600 V 60 mOhm Flange Mount MDmesh DM2 Power Mosfet - TO-247
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 600V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube MDmesh DM2series, Vds=600 V, 50 A, TO-247encapsulation, Through hole mounting, 3Pin
MOSFET, N-CH, 600V, 50A, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 50A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.052ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Powe
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +305%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Resistance52 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance4.1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation360 W
Min Operating Temperature-55 °C
Rds On Max60 mΩ
Threshold Voltage4 V
Schede tecniche e documenti
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