STMicroelectronics STW4N150
$ 3.318
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -2.98%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STW4N150.
Modelli CAD
Scarica il simbolo STMicroelectronics STW4N150, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Parti correlate
STMicroelectronicsSTW6N120K3
N-channel 1200 V, 1.95 Ohm, 6 A Zener-protected SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW5NK100Z
N-CHANNEL 1000V - 3 Ohm - 3.5A - TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH MOSFET
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STW4N150 fornite dai suoi distributori.
N-channel 1500 V, 5 Ohm, 4 A, PowerMESH(TM) power MOSFET in TO-247
Transistor MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin (3+Tab) TO-247 Tube
N-CHANNEL 1500 V, 5 OHM, 4 A TO-247 POWERMESH POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1500V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N, 1500V, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 4A; Drain Source Voltage Vds: 1.5kV; On Resistance Rds(on): 7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipati
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -2.98%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Current Rating4 A
Drain to Source Breakdown Voltage1.5 kV
Drain to Source Resistance7 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)1.5 kV
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.3 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage1.5 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Rds On Max7 Ω
Resistance7 Ω
Rise Time30 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Voltage Rating (DC)1.5 kV
Dimensions
Height24.45 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STW4N150.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant