STMicroelectronics STW18NM60N
$ 2.682
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.21%
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0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-06-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTW19NM50N
N-channel 500 V, 0.2 Ohm, 14 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247
STMicroelectronicsSTW22NM60N
N-channel 600 V, 0.2 Ohm, 16 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247
STMicroelectronicsSTW18N65M5
N-channel 650 V, 0.198 Ohm typ., 15 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247 package
InfineonIPW60R230P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 16.8A TO247-3 / N-Channel 600 V 16.8A (Tc) 126W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STW18NM60N fornite dai suoi distributori.
N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 13 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
N-Channel 650 V 0.285 Ohm Flange Mount Mdmesh II Power MosFet - TO-247
110W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 35nC@ 10 V 1N 600V 285m¦¸@ 6.5A,10V 13A 1nF@50V TO-247-3
Ptd High Voltage Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW18NM60N
MOSFET N-Channel 600V 13A TO247
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.285ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N CH, 600V, 13A, TO 247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 13A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.26ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.21%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Resistance285 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation80 W
Rds On Max285 mΩ
Resistance285 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant