STMicroelectronics STW18N60DM2

N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
$ 1.27
EOL
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Vedi tutte le interruzioni di prezzo
DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsSTW18N60DM21200600
VericalSTW18N60DM21200600
TME
2
STW18N60DM21201
20h
DigiKey497-16340-5-ND4731Tube
AvnetSTW18N60DM20600
9h

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STW18N60DM2.

Newark

Datasheet12 pagine10 anni fa
Datasheet12 pagine10 anni fa

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
+44.05%
Powered bySpectra logo

Modelli CAD

Scarica il simbolo STMicroelectronics STW18N60DM2, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
Component Search Engine
SimboloImpronta
3DScarica
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Supply Chain

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-01-28
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-09-10
LTD Date2027-03-10

Parti correlate

InfineonIPW60R280P6FKSA1
MOSFET Transistor, N Channel, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V
Dettagli
InfineonIPW65R280C6FKSA1
Transistor MOSFET N-CH 700V 13.8A 3-Pin TO-247 Tube
Dettagli
STMicroelectronicsSTW13N60M2
N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
Dettagli
STMicroelectronicsSTW14NK50Z
N-Channel 500V - 0.34 Ohm - 14A TO-247 Zener-Protected SuperMesh(TM) POWER MOSFET
Dettagli
STMicroelectronicsSTW13NK60Z
N-Channel 600 V, 0.48 Ohm, 13 A, TO-247 Zener-Protected SuperMesh(TM) POWER MOSFET
Dettagli
InfineonIPW60R330P6FKSA1
N-Channel 600 V 12 A 330 mO 22 nC CoolMOS P6 Power Transistor - TO-247
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di STMicroelectronics STW18N60DM2 fornite dai suoi distributori.

N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 12A TO247 / N-Channel 600 V 12A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-247-3
Win Source
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.295ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
IHS
Mosfet, N-Ch, 600V, 12A, To-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.26Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW18N60DM2
Newark

Immagini

Newark
TME
RS
Lanka Micro
Future Electronics

Alias del produttore

STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics