STMicroelectronics STW15NK50Z
$ 2.381
Production
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Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -11.29%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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Parti correlate
STMicroelectronicsSTW20NK50Z
N-channel 500 V, 0.23 Ohm, 17 A SuperMESH(TM) Power MOSFET Zener-protected TO-247
STMicroelectronicsSTW14NK50Z
N-Channel 500V - 0.34 Ohm - 14A TO-247 Zener-Protected SuperMesh(TM) POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTW13NK60Z
N-Channel 600 V, 0.48 Ohm, 13 A, TO-247 Zener-Protected SuperMesh(TM) POWER MOSFET
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STW15NK50Z fornite dai suoi distributori.
N-Channel 500V - 0.30 Ohm - 14A - TO-247 Zener-Protected SuperMESH(TM) POWER MOSFET
STW15NK50Z N-channel MOSFET Transistor, 14 A, 500 V, 3-Pin TO-247
N-Channel 500 V 0.34 O Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-247
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 500V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N CH, 500V, 14A, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 7A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 30V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Powe
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -11.29%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Current Rating14 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance340 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.26 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Rds On Max340 mΩ
Resistance340 mΩ
Rise Time23 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time62 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)500 V
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant