STMicroelectronics STW15N95K5
$ 2.062
Production
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.61%
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Parti alternative
0 parti disponibili
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTW15N80K5
N-channel 800 V, 0.3 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW15NK90Z
N-CHANNEL 900V - 0.40͐2;6; - 15A - TO-247 Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET
InfineonIPW90R500C3FKSA1
MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3 / N-Channel 900 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STW15N95K5 fornite dai suoi distributori.
N-channel 950 V, 0.41 Ohm typ., 12 A SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET in TO-247 package
STW15N95K5 N-channel MOSFET Transistor, 12 A, 950 V, 3-Pin TO-247
N-Channel 950 V 0.5 Ohm Flange Mount Power Mosfet - TO-247
Mosfet, N-Ch, 950V, 12A, To-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:950V; Continuous Drain Current Id:12A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW15N95K5
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.61%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage950 V
Drain to Source Resistance500 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)950 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance900 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage950 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max500 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time62 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant